APT70SM70B
Modello di prodotti:
APT70SM70B
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
POWER MOSFET - SIC
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
15424 Pieces
Scheda dati:
APT70SM70B.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:2.5V @ 1mA
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 [B]
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:70 mOhm @ 32.5A, 20V
Dissipazione di potenza (max):300W (Tc)
imballaggio:Bulk
Contenitore / involucro:TO-247-3
temperatura di esercizio:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT70SM70B
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:125nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 700V 65A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 [B]
Tensione drain-source (Vdss):700V
Descrizione:POWER MOSFET - SIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:65A (Tc)
Email:[email protected]

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