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APT70GR65B2SCD30
- Modello di prodotti:
- APT70GR65B2SCD30
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 18896 Pieces
- Scheda dati:
- APT70GR65B2SCD30.pdf
introduzione
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Specifiche
| Tensione - rottura collettore-emettitore (max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (max) a VGE, Ic: | 2.4V @ 15V, 70A |
| Condizione di test: | 433V, 70A, 4.3 Ohm, 15V |
| Td (on / off) @ 25 ° C: | 19ns/170ns |
| Contenitore dispositivo fornitore: | T-MAX™ [B2] |
| Serie: | * |
| Potenza - Max: | 595W |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 22 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | APT70GR65B2SCD30 |
| Tipo IGBT: | NPT |
| carica gate: | 305nC |
| Descrizione espansione: | IGBT NPT 650V 134A 595W Through Hole T-MAX™ [B2] |
| Descrizione: | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO |
| Corrente - collettore Pulsed (Icm): | 260A |
| Corrente - collettore (Ic) (max): | 134A |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per APT70GR65B2SCD30
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