APT50GP60J
APT50GP60J
Modello di prodotti:
APT50GP60J
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 600V 100A 329W SOT227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
19325 Pieces
Scheda dati:
APT50GP60J.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):600V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:2.7V @ 15V, 50A
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:329W
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Termistore NTC:No
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APT50GP60J
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce:5.7nF @ 25V
Ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
Descrizione espansione:IGBT Module PT Single 600V 100A 329W Chassis Mount ISOTOP®
Descrizione:IGBT 600V 100A 329W SOT227
Corrente - Cutoff collettore (max):500µA
Corrente - collettore (Ic) (max):100A
Configurazione:Single
Email:[email protected]

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