APT25GP120BG
APT25GP120BG
Modello di prodotti:
APT25GP120BG
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
IGBT 1200V 69A 417W TO247
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
13348 Pieces
Scheda dati:
1.APT25GP120BG.pdf2.APT25GP120BG.pdf

introduzione

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Specifiche

Tensione - rottura collettore-emettitore (max):1200V
Vce (on) (max) a VGE, Ic:3.9V @ 15V, 25A
Condizione di test:600V, 25A, 5 Ohm, 15V
Td (on / off) @ 25 ° C:12ns/70ns
di scambio energetico:500µJ (on), 438µJ (off)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-247 [B]
Serie:POWER MOS 7®
Potenza - Max:417W
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-247-3
Altri nomi:APT25GP120BGMI
APT25GP120BGMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:22 Weeks
codice articolo del costruttore:APT25GP120BG
Tipo di ingresso:Standard
Tipo IGBT:PT
carica gate:110nC
Descrizione espansione:IGBT PT 1200V 69A 417W Through Hole TO-247 [B]
Descrizione:IGBT 1200V 69A 417W TO247
Corrente - collettore Pulsed (Icm):90A
Corrente - collettore (Ic) (max):69A
Email:[email protected]

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