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APT20M19JVR
- Modello di prodotti:
- APT20M19JVR
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 13767 Pieces
- Scheda dati:
- APT20M19JVR.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per APT20M19JVR, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per APT20M19JVR via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | ISOTOP® |
| Serie: | POWER MOS V® |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 19 mOhm @ 500mA, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 500W (Tc) |
| imballaggio: | Tube |
| Contenitore / involucro: | SOT-227-4, miniBLOC |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Chassis Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | APT20M19JVR |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 11640pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 495nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 200V 112A 500W (Tc) Chassis Mount ISOTOP® |
| Tensione drain-source (Vdss): | 200V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 200V 112A SOT-227 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 112A |
| Email: | [email protected] |
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