APL1001J
APL1001J
Modello di prodotti:
APL1001J
fabbricante:
Microsemi
Descrizione:
MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
16764 Pieces
Scheda dati:
1.APL1001J.pdf2.APL1001J.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4V @ 2.5mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:ISOTOP®
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:600 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max):520W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:SOT-227-4, miniBLOC
Altri nomi:APL1001JMI
APL1001JMI-ND
temperatura di esercizio:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Chassis Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore:APL1001J
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:7200pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 1000V (1kV) 18A 520W (Tc) Chassis Mount ISOTOP®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):1000V (1kV)
Descrizione:MOSFET N-CH 1000V 18A SOT-227
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:18A
Email:[email protected]

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