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AOV11S60
- Modello di prodotti:
- AOV11S60
- fabbricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 14583 Pieces
- Scheda dati:
- 1.AOV11S60.pdf2.AOV11S60.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4.1V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | 4-DFN-EP (8x8) |
| Serie: | aMOS™ |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 500 mOhm @ 3.8A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 8.3W (Ta), 156W (Tc) |
| imballaggio: | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro: | 4-VSFN Exposed Pad |
| Altri nomi: | 785-1683-2 |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Produttore tempi di consegna standard: | 16 Weeks |
| codice articolo del costruttore: | AOV11S60 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 545pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 600V 650mA (Ta), 8A (Tc) 8.3W (Ta), 156W (Tc) Surface Mount 4-DFN-EP (8x8) |
| Tensione drain-source (Vdss): | 600V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 600V 0.65A 5-DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 650mA (Ta), 8A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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