AOU3N60
AOU3N60
Modello di prodotti:
AOU3N60
fabbricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS:
Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile:
17814 Pieces
Scheda dati:
1.AOU3N60.pdf2.AOU3N60.pdf

introduzione

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Specifiche

Vgs (th) (max) a Id:4.5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore:TO-251-3
Serie:-
Rds On (max) a Id, Vgs:3.5 Ohm @ 1.25A, 10V
Dissipazione di potenza (max):56.8W (Tc)
imballaggio:Tube
Contenitore / involucro:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Altri nomi:785-1182-5
temperatura di esercizio:-50°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio:Through Hole
Livello di sensibilità umidità (MSL):1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard:16 Weeks
codice articolo del costruttore:AOU3N60
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds:370pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs:12nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Caratteristica FET:-
Descrizione espansione:N-Channel 600V 2.5A (Tc) 56.8W (Tc) Through Hole TO-251-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On):10V
Tensione drain-source (Vdss):600V
Descrizione:MOSFET N-CH 600V 2.5A IPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C:2.5A (Tc)
Email:[email protected]

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