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AON6532P
- Modello di prodotti:
- AON6532P
- fabbricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descrizione:
- MOSFET N-CH DFN
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Senza piombo / RoHS conforme
- quantità disponibile:
- 19970 Pieces
- Scheda dati:
- AON6532P.pdf
introduzione
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Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 710mV @ 1A |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 35.7W (Tc) |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Surface Mount |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | AON6532P |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 30V 68A 35.7W (Tc) Surface Mount |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss): | 30V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH DFN |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 68A |
| Email: | [email protected] |
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