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2N6800
- Modello di prodotti:
- 2N6800
- fabbricante:
- Microsemi
- Descrizione:
- MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39
- Stato Lead senza piombo / RoHS:
- Contiene piombo / RoHS non conforme
- quantità disponibile:
- 19460 Pieces
- Scheda dati:
- 2N6800.pdf
introduzione
BYCHIPS è il distributore di calze per 2N6800, abbiamo le scorte per la spedizione immediata e anche disponibili per la fornitura di molto tempo. Vi preghiamo di inviarci il vostro piano di acquisto per 2N6800 via email, ti daremo il miglior prezzo secondo il tuo piano.
Specifiche
| Vgs (th) (max) a Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore: | TO-39 |
| Serie: | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs: | 1 Ohm @ 2A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max): | 800mW (Ta), 25W (Tc) |
| imballaggio: | Bulk |
| Contenitore / involucro: | TO-205AF Metal Can |
| temperatura di esercizio: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio: | Through Hole |
| Livello di sensibilità umidità (MSL): | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore: | 2N6800 |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds: | - |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs: | 5.75nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Caratteristica FET: | - |
| Descrizione espansione: | N-Channel 400V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39 |
| Tensione drain-source (Vdss): | 400V |
| Descrizione: | MOSFET N-CH 400V TO-205AF TO-39 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C: | 3A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
Parti relative per 2N6800
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